Deadlines
Výskumná oblast oddelenia elektronických prvkov (OEP) je zameraná na fyzikálne, technologické a konštrukcné problémy polovodicových štruktúr a prvkov a ich charakterizáciu, podporavanú modelovaním a simuláciou. Najnovšie poznatky sú priamo implementované do výucby. Cielom výskumnej práce je lepšie pochopenie elektrofyzikálnych súvislostí a javov odohrávajúcich sa v polovodicových štruktúrach so stále menšími geometrickými rozmermi, kde hrúbka aktívnych polovodicových pasivacných vrstiev dosahuje úroven 1 – 100 nm. S tým súvisí aj vývoj a modifikácia diagnostických postupov so zvýšenou citlivostou a rozlišovacou schopnostou, aby boli schopné postihnút efekty, rozhodujúce o vlastnostiach submikrometrových a nanometrových štruktúr.
Výskumná oblast oddelenia predstavuje široké spektrum záujmu. Dôležitou oblastou je skúmanie kvality technologického postupu pri výrobe polovodicových štruktúr, prvkov a obvodov, najmä na báze kremíka, ich odolnosti voci radiacnému žiareniu a skúmanie nových materiálov s vysokou permitivitou pre perspektívne unipolárne integrované obvody – CMOS a ich rozhraní s hradlovou elektródou a kremíkom. Pre výskumné úcely v tejto oblasti sa využívajú plne automatizované elektrické diagnostické metódy a to rôzne modifikácie vodivostných (I – V, G – V, I – T) a kapacitných (C – V, C – t, cC – t, DLTS…) metód, v širokom rozsahu teplôt (18 K – 873 K) a v prípade potreby sa merania uskutocnujú i za prítomnosti magnetického pola. Na tvorbe programového vybavenia pre automatizované spracovanie výsledkov experimentálnych meraní a modifikácii jednotlivých meracích metód sa podielajú vo významnej miere doktorandi i študenti.