Oddelenie elektronických prvkov (OEP)

 Vedúci oddelenia: Ing. Juraj Marek, PhD.  

Pracovníci oddelenia:  

  1. BENKO Peter,Ing. PhD.
  2. CHVÁLA Aleš, Ing., PhD.
  3. MAREK Juraj, Ing., PhD.
  4. STUCHLÍKOVÁ Ľubica, prof., Ing., PhD.
  5. ŽIŠKA Milan, doc., Ing., PhD.
  6. DROBNÝ Jakub, Ing.
  7. ČERNAJ Ľuboš, Ing.
  8. KOZÁRIK Jozef, Ing.
  9. KÓSA Arpád, Ing., PhD.
  10. PRÍBYTNÝ Patrik, Ing., PhD.
  11. ZÁVODNÍK Tomáš, Ing.
  12. DONOVAL Daniel, prof., Ing., DrSc.
  13. MIKOLÁŠEK Miroslav, doc. Ing., PhD.

Doktorandi: 

  1. Ing. XXX 

Pedagogika: 

Oddelenie zabezpečuje výučbu v  predmetoch (šk.rok 2016-2017):  

Bakalárske štúdium: 

Bc ELEKTROENERGETIKA 2. ročník –4. semester (letný): B-EPO Elektronické prvky a obvody, PP, 5kreditov, rozsah 2-2 s, prednášateľ: Ľ. Stuchlíková Bc. ELEKTRONIKA 2. ročník –4. semester (letný): B-ENMAT Elektronika materiálov, PP 5kr., 2-2 s D. Donova B-MK Manažment kvality, PVP, 4kr., 2-2 s, M. Žiška 3. ročník –5.semester (zimný): B-BP1-EN Bakalársky projekt 1, PP, 4kr., 0-2 kz, D. Donoval B-ME Mikroelektronika, PP, 5kr., 2-2 s, D. Donoval 3. ročník –6. semester(letný): B-BZP-EN Bakalárska záverečná práca, PP, 5kr., 0-2 s, D. Donoval B-BP2-EN Bakalársky projekt 2 PP, 4kr., 0-2 kz, D. Donoval Bc. ELEKTROTECHNIKA 2. ročník –4. semester (letný): B-EPO Elektronické prvky a obvody, PP, 5kr., 2-2 s, Ľ. Stuchlíková Bc. ROBOTIKA A KYBERNETIKA 2. ročník –4. semester (letný): B-ELNS Elektronické systémy, PP, 5kr., 2-2 s, M. Žiška Bc. TELEKOMUNIKÁCIE 2. ročník –3. semester(zimný): B-EPON Elektronické prvky a obvody, PP, 5kr., 2-2 s, Ľ. Stuchlíková 

Inžinierske štúdium: 

ELEKTRONIKA A FOTONIKA 1. ročník –1. semester (zimný) I-CAEEP CAE elektronických prvkov, PP, 5kr., 2-2 s, D. DonovaI I-TP-EN Tímový projekt, PP, 5kr., 0-3 kz, D. Donoval 1. ročník –2. semester (letný): I-DP1-EN Diplomový projekt 1, PP, 5kr. 0-2 kz, D. Donoval 2. ročník–3.semester (zimný): I-DP2-EN  Diplomový projekt 2, PP, 5kr., 0-2 kz, D. Donoval 2. ročník –4. semester (letný): I-DZP-EN  Diplomová záverečná práca, PP, 10kr., 0-2 s, D. Donoval I-DP3-EN  Diplomový projekt 3, PP, 10kr., 0-2 kz, D. Donoval I-SSP-EN  Štátna skúška z predmetu, PP, 10kr., 2/sem s, D. Donoval 

Doktorandské štúdium 

Vybrané kapitoly z fyzikálnej elektroniky látok Elektrické diagnostické metódy charakterizácie polovodičových štruktúr Modelovanie a simulácia elektronických prvkov a obvodov 

Bakalárske projekty pre študentov: Diplomové projekty pre študentov: Tímové projekty: ŠVOČ: Výskum: Návrh, príprava a charakterizácia štruktúr na báze kremíka pre fotovoltické a foto-elektrochemické aplikácie. Využitie spektroskópie hlbokých hladín (DLTS) na identifikáciu porúch v polovodičových štruktúrach a heteroštruktúrach. Fyzikálne modelovanie a simulácia elektrických vlastností polovodičových štruktúr a heteroštruktúr zo zameraním na vysokofrekvenčné a výkonové prvky s využitím alternatívnych materiálov pre novú generáciu prvkov. Experimentálne výsledky spojené s elektrickými metódami merania pri analýze výsledkov modelovania, s cieľom optimalizovať vybrané technologické procesy. Laboratóriá a unikátne prístroje:

  • LCR METER AGILENT 4284A – presné kapacita – napätie merania vo frekvenčnom rozsahu 20 Hz – 1 MHz.
  • Keithley 237 – zdroj, merací prístroj s citlivosťou od 100 fA.
  • Slnečný simulátor 16S-002-300 od spoločnosti SOLAR Light. Šošovkový systém pre fokusáciu svetla v rozsahu 1-20x slnko (1000-20000 W/m2)
  • Dusíkový kryostatový systém POLARON (100 K – 450 K)
  • Kontaktovací hrotový merací systém MDC (Materials Development Corporation) s ohrevom do 500K.
  • Van der Pauw a Hallov merací systém HMS-5300, ECOPIA.
  • Digital Deep Level Transient Spectroscopy – DL 8000 od firmy ACCENT Accent Optical Technologies Ltd., U.K., s dusíkovým kryostatom a s úplným softvérovým vybavením.

 Projektová činnosť:  Na pracovisku ÚEF FEI bola vytvorená kombinácia zapojenia prístrojov s možnosťou merania I-V a C-V charakteristík (frekvencie merania 20 Hz – 1MHz) v rozsahu teplôt 100-450 K, za tmy alebo pod solárnym simulátorom v rozsahu intenzity osvetlenia 1-20 x slnko (100 – 20000 W/m2). Využitým tohto prepojenia prístrojov je možné uskutočniť širokú škálu meraní (I-V-T, C-V-F, C-T-ω a iné), ktoré zabezpečujú komplexnú elektro-fyzikálnu charakteristiku štruktúr pre solárne aplikácie. Na identifikáciu elektricky aktívnych porúch vo funkčnej oblasti polovodičových štruktúr sa využíva kapacitná DLTS a DLTFS metóda. Toto plnoautomatizované meracie zariadenie v základnej zostave s dusíkovým kryostatom a softvérovým vybavením umožňuje merať a vyhodnocovať elektrofyzikálne vlastnosti barierových štruktúr (p-n-priechod, Schottkyho dióda, štruktúra MOS, MOSFET). Na výpočet identifikačných parametrov sa využíva Fourierovská analýza nameraných relaxačných kriviek. Charakterizáciu polovodičových materiálov a tenkých vrstiev pre aplikáciu v oblasti nanoštruktúr MIM, MOS a solárnych článkov je možné uskutočniť prostredníctvom Hallovských meraní v rozsahu teplôt 100-350 K. Analýzu a interpretáciu experimentálnych výsledkov je možné doplniť simuláciou solárnych štruktúr prostredníctvom profesionálnych programov  určených na simulovanie solárnych článkov ASA a AFORS-HET. Vedenie projektov VEGA, APVV, KEGA a spolupráca s univerzitami a inštitúciami Spoluúčasť na riešení medzinárodných projektov: VEGA 1/0377/13     Príprava a diagnostika heteroštruktúr pre pokročilé fotovoltické aplikácie Vedúci projektu: doc. Ing. Ladislav Harmatha, PhD. Projekt je zameraný na výskum nových poznatkov v oblasti vývoja štruktúr s heteropriechodom amorfného a kryštalického kremíka pre pokročilé technológie druhej generácie solárnych fotovoltických článkov VEGA 1/0651/16   Výskum progresívnych materiálov a štruktúr pre foto-elektrochemické aplikácie Vedúci projektu: Ing. Miroslav Mikolášek, PhD. Projekt je zameraný na výskum nových poznatkov v oblasti vývoja štruktúr pre foto-elektrochemické (PEC) aplikácie s využitím nových, progresívnych materiálov. Získané poznatky budú využité pre vytvorenie PEC štruktúry na báze karbidu kremíka a na analýzu jej vlastností. APVV – 15 – 0152  spolupráca so FÚ SAV v Bratislave   Výskum fyzikálnych vlastností a kinetiky formovania vrstiev čierneho kremíka Vedúci projektu na FEI STU: doc. Ing. Ladislav Harmatha, PhD. Projekt predstavuje základný experimentálny, aplikovaný ako aj teoretický výskum tzv. čierneho Si (c-Si a poly-Si) pozostávajuceho najmä z kryštalických objektov nanometrových rozmerov. Výskum je orientovaný na i) prípravu čierneho Si v chemických kvapalných prostrediach a v plazme pomocou katalytickych vrstiev, ii) na kinetiku jeho formovania – t.j. elektrochemickým reakciám, iii) skúmanie a modelovanie základných fyzikálnych parametrov štruktúr – ide najmä o optické, elektrické a morfologické vlastnosti a iv) na povrchovú pasiváciu sformovaných nanokryštalických útvarov pomocou vhodnej technológie zabezpečujúcej dlhodobú časovú stabilitu ich vlastností. Projekt rieši i) výber vhodného typu povrchovej katalytickej vrstvy a chemické zloženie roztokov nutných na sformovanie čierneho Si, ii) formovanie modifikovaných povrchových vrstiev pomocou katalytických vrstiev a ich fyzikálne vlastnosti aj na GaAs, iii) formovanie a testovanie slnečných článkov s čiernou Si vrstvou a iv) antibakteriálne účinky čiernych Si vrstiev.

Spolupráca  – TU Ilmenau, Nemecko                                                   Dr. F. Schwierz, Dr. R. Granzner – Delft University of Technology-DIMES, Holandsko             Prof. Dr. Ing. M. Zeman – ZU Plzeň – výzkumné centrum, Česká republika               Doc. RNDr. P. Šutta, PhD. – Wroclaw University of Technology, Poľsko                        Prof. M. Tlaczala  – Elektrotechnický ústav SAV, Bratislava                            Ing. Karol Fröhlich, DrSc. -Fyzikálny ústav SAV, Bratislava                                        RNDr. Emil Pinčík, CSc.