Vitajte, Hosťovský používateľ!

Domov

• Stránky portálu

  • Kalendár

• Kurzy

  • FREE - voľne dostupný obsah

    • ...lne a tímové projekty - dokumentácia a prezentácia

      • BP a DP

    • Virtuálne laboratórium manažmentu kvality

      • Úvod do problematiky MK

      • Metódy MK

      • Programy a cvičenia MK

    • EPO_1

    • IAE

      • Účastníci

      • Všeobecné

      • Téma 1

      • Téma 2

        • f.2.1 Generácia a rekombinácia elektrónov a dier

        • f.2.2 Kryštalografická štruktúra kremíka

        • ...oncentrácie volných nosičov náboja v Si od teploty

        • ... priechodom v termodynamickej rovnováhe (verzia 2)

        • f.2.7 Vplyv sériového Rs a paralelného Rp odporu

        • f.2.8 Lavínový a Zener prieraz

        • f.2.1 Generácia a rekombinácia elektrónov a dier

        • ... f.2.1 Generácia a rekombinácia elektrónov a dier

        • f.2.2 Kryštalografická štruktúra kremíka

        • Anketa - f.2.2 Kryštalografická štruktúra kremíka

        • ...oncentrácie volných nosičov náboja v Si od teploty

        • ...oncentrácie voľných nosičov náboja v Si od teploty

        • ... priechodom v termodynamickej rovnováhe (verzia 2)

        • ...dičovým pn+ priechodom v termodynamickej rovnováhe

        • f.2.5 Priepustne a záverne polarizovaný pn priechod

        • ....2.5 Priepustne a záverne polarizovaný pn priechod

        • f.2.6 Volt-Ampérová charakteristika pn priechodu

        • ... f.2.6 Volt-Ampérová charakteristika pn priechodu

      • Téma 3

      • Téma 4

      • Téma 6

      • Téma 7

      • Téma 10

      • Téma 11

  • Elektronika

    • Elektronika LS 2023/2024

      • EPO LS 2023/2024

      • SVE LS 2024

      • EDC LS 2023/2024

    • Archív Elektronika

    • 5G_GaN2 course

    • Si SiC GaN

    • OE

    • APE

    • Advanced Solar Cells

    • HEMT

    • Power MOSFET