IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) je výkonový bipolárny tranzistor s izolovanou riadiacou elektródou. Vznikol spojením bipolárneho tranzistora - PNP a unipolárneho tranzistora E MOSFET (N kanálový obohacovací MOSFET). Táto konštrukcia umožňuje, aby tranzistor IGBT bol ovládaný napätím pripojeným na hradlo, ako MOSFET namiesto prúdom. Keďže je IGBT bipolárnym tranzistorom (BJT), preteká ním oveľa väčší prúd ako je to v prípade MOSFET. IGBT sa používa rovnako ako bipolárny tranzistor na zosilňovanie a spínanie signálov a realizáciu logických funkcií. V súčasnosti je najčastejšie používaný na spínanie veľkých prúdov nad 10 A pri napätiach nad 600 V.
IGBT sa využíva najmä ako invertor v priemysle. Má využitie v automobilovom priemysle do motorov áut (elektrických a hybridných) alebo pri ich výrobe a to pri zváraní plechov, keďže je súčasťou zváracích invertorov a teda aj zváračiek ako takých. Používajú sa pri solárnych a veterných elektrárňach ako invertory, v UPS (Uninterruptible Power Supply). Napríklad technológia IGBT bola použitá na aktualizáciu lokomotív staršími hradlovými vypínacími tyristormi (GTO) na ovládanie motorov.
IGBT sú vlastne výkonové spínače bez, ktorých sa nezaobídu ani električky, trolejbusy ani elektrické lokomotívy.
.
Obr. 1 Ukážka aplikácie IGBT v električke a schéma dvojúrovňového invertora s IGBT.
Zdroj: https://www.railway-technology.com/news/newssiemens-to-install-igbt-technology-for-indian-railways-5875183/
https://www.designnews.com/electronics/ever-hear-igbt-its-one-most-power-efficient-devices-around
https://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/application/railway/index.html